IRF5801TRPBF
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRF5801TRPBF |
---|---|
Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $0.65 |
10+ | $0.574 |
100+ | $0.4403 |
500+ | $0.3481 |
1000+ | $0.2785 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | Micro6™(TSOP-6) |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 360mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 88 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 600mA (Ta) |
Grundproduktnummer | IRF5801 |
IRF5801TRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF5801TRPBF PDF - EN.pdf |
IR SOT23-6
INFINEON SOT23-6
MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6
MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6
IR SOT23-6
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
IR SOT23-6
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
IR SOP8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRF5801TRPBFInfineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|